钨最早用于制作白炽灯丝。1909年美国库利吉（w.d.coolidge）采用钨粉压制、重熔、旋锻、拉丝工艺制成钨丝,从此钨丝生产得到迅速发展。1913年兰米尔(i.langmuir)和罗杰斯 (w.rogers)发现钨钍丝（又称钍钨丝）发射电子性能优于纯钨丝后,开始使用钨钍丝,至今仍然广泛使用。1922年研制出具有优良的抗下垂性能的钨丝（称为掺杂钨丝或不下垂钨丝），这是钨丝研究中的重大进展。不下垂钨丝是广泛使用的优异灯丝和阴极材料。50～60年代，对钨基合金进行了广泛的探索研究，希望发展能在1930～2760℃工作的钨合金，以供制作航天工业使用的耐高温部件。其中以钨铼系合金的研究较多。对钨的熔炼和加工成形技术也开展了研究，采用自耗电弧和电子束熔炼获得钨锭，并经挤压和塑性加工制成某些制品；但熔炼铸锭的晶粒粗大，塑性差，加工困难，成材率低，因而熔炼－塑性加工工艺未能成为主要生产手段。除化学气相沉积 （cvd法）和等离子喷涂能生产极少的产品外，粉末冶金仍是制造钨制品的主要手段。
金属钨是如何冶炼的
自然界中金属钨主要以黑钨矿(fe,mn)wo4和白钨矿cawo4形式存在。在空气的参与下，用熔融碳酸钠处理黑钨矿和白钨矿，生成相应的金属氧化物、钨酸钠和二氧化碳。用水浸取钨酸钠，过滤，滤液用盐酸酸化，得到黄色的钨酸沉淀。将钨酸加热脱水得到三氧化钨，再用焦炭或氢气还原三氧化钨即制得单质钨。用焦炭还原时常得到难以分离的碳化钨杂质，而用氢气还原的产物比较纯净。
微电子材料
钨铜电子封装和热沉材料，既具有钨的低膨胀特性，又具有铜的高导热特性，其热膨胀系数和导热导电性能可以通过调整钨铜的成分而加以改变，因而给钨铜提供了更广的应用范围。由于钨铜材料具有很高的耐热性和良好的导热导电性，同时又与硅片、砷hua镓及陶瓷材料相匹配的热膨胀系数，故在半导体材料中得到广泛的应用。适用于与大功率器件封装材料、热沉材料、散热元件、陶瓷以及砷hua镓基座等。
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